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<p>Die Anmeldung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement (1) mit einem pn- Übergang (4), mit einem Grundkörper (2) erster Basisleitfähigkeit, einem horizontal mittig in dem Grundkörper angeordneten wannenförmigen Gebiet (10) zweiter Leitfähigkeit mit einem ersten zweistufigen Dotierungsprofil (100) und mit einer erster Eindringtiefe (102) von der ersten Hauptfläche (6) in den Grundkörper (2) hinein. Weiterhin weist dieses Leistungshalbleiterbauelement (1) eine, zwischen dem wannenförmigen Gebiet (10) und seinem Rand angeordnete, Randstruktur aus einer Mehrzahl von Feldringen (20) mit einstufigem Dotierungsprofil, zweiter Leitfähigkeit und zweiter Eindringtiefe auf, wobei die erste Eindringtiefe beträgt maximal 50 von 100 der zweiten Eindringtiefe beträgt.
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