发明名称 一种对电子元件改性与电学性质表征的设备
摘要 本实用新型公开了一种对电子元件改性与电学性质表征的设备,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统以及电子元件测试系统组成,真空腔室由高真空内腔室和低真空外腔室组成:外腔室顶端固定紫外灯光源;内腔室具有高度可调节的样品台,其内置加热和水冷系统。本实用新型能够准确控制紫外光/臭氧对材料的表面处理过程,如石墨烯,并对微纳电子元件的电学性质进行原位测量和表征,它在材料的表面清洗、改性以及电子元件的电学性能原位表征方面具有重要的应用价值。
申请公布号 CN202948906U 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201220585177.9 申请日期 2012.11.07
申请人 上海交通大学 发明人 陶海华;张双喜;王庆康
分类号 H01L21/67(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 郭国中
主权项 一种对电子元件改性与电学性质表征的设备,其特征在于,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统以及电子元件测试系统组成,其中,所述紫外光源系统包括控制电源和紫外灯管,所述真空腔室包括外腔室和内腔室,所述外腔室内安装所述紫外灯管,所述内腔室内设置样品台以及加热和水冷装置,并具有气体输入、输出端口,所述紫外灯管发射的光通过内腔室的石英窗口,照射到样品台上,所述内腔室具有一定压强的氧气,其经过紫外光照射后生成臭氧和氧原子,对样品台上的样品表面进行清洗和改性;所述真空泵系统和真空设备控制系统用于产生并控制真空腔室内的真空度,所述电子元件测试系统能够对电子元件的电学性质进行原位测试表征。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号