制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，其包括以下步骤：在半导体衬底中形成用于执行光电转换的光接收部分；形成绝缘膜，以覆盖半导体衬底的光接收侧；对应于光接收部分形成金属光屏蔽膜，以部分地覆盖绝缘膜；以及通过利用微波照射金属光屏蔽膜来对金属光屏蔽膜进行加热，以允许对绝缘膜中的具有金属光屏蔽膜的层压部分进行选择性地退火。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中形成具有用于执行光电转换的光接收部分的光接收侧和周边电路部分；形成绝缘膜，以覆盖所述半导体衬底的具有所述光接收部分的所述光接收侧和所述周边电路部分；在所述绝缘膜上方并且至少在所述周边电路部分上方形成金属光屏蔽膜；以及通过利用微波照射所述金属光屏蔽膜来对所述金属光屏蔽膜进行加热，以允许所述周边电路部分之上的所述绝缘膜退火。