晶圆级封装方法及其封装结构

摘要

本发明涉及一种晶圆级封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤：提供包含芯片单元的晶圆；在晶圆正面进行第一次凸块工艺处理；在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间进行两次开槽，第一槽的宽度大于第二槽的宽度，第一槽的深度小于第二槽的深度，且小于芯片单元的厚度，并且第二槽的中心与第一槽的中心在同一条垂直于晶圆表面的直线上；往第一槽和第二槽内填充包覆材料；对晶圆背面进行包覆，包覆材料的高度高于晶圆背表面；和单一化切割。本发明通过晶圆凸块工艺、晶圆级部分开槽和晶圆级包覆材料填充，实现产品的高密度输入输出端口、高可靠性，轻薄短小、高产能以及低成本。

主权项

一种晶圆级封装方法，其特征在于：其包括以下步骤：提供包含芯片单元的晶圆；在晶圆正面进行第一次凸块工艺处理；在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间进行两次开槽，第一槽的宽度大于第二槽的宽度，第一槽的深度小于第二槽的深度，且小于芯片单元的厚度，并且第二槽的中心与第一槽的中心在同一条垂直于晶圆表面的直线上；往第一槽和第二槽内填充包覆材料；对晶圆背面进行包覆，包覆材料的高度高于晶圆背表面；和单一化切割，以第一槽和第二槽的中心为切割中心进行切割。