金属互连结构的制作方法

摘要

本发明提供一种金属互连结构的制作方法，包括：在形成有半导体元件的半导体衬底上形成相互分离的多晶硅柱，多晶硅柱在半导体衬底上非均匀排布；在形成有多晶硅柱的半导体衬底上淀积层间介质层，对层间介质层进行抛光直至多晶硅柱的表面露出；去除多晶硅柱，以形成与半导体元件相连通的孔；在形成有孔的半导体衬底上淀积金属层，以填充孔；对金属层进行抛光直至层间介质层的表面露出，以形成金属互连结构中的导电柱塞。由上述制作方法获得的金属互连结构中导电柱塞的高度较为一致，使金属互连结构的表面电阻较为一致，使整个半导体集成电路的电学性能提高。

主权项

一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述金属互连结构包括导电柱塞，所述方法包括以下步骤：提供形成有半导体元件的半导体衬底；在半导体衬底上的待形成所述导电柱塞的区域形成多晶硅柱；在形成有所述多晶硅柱的半导体衬底上淀积层间介质层，所述层间介质层覆盖所述多晶硅柱的表面；对所述层间介质层进行抛光直至所述多晶硅柱的表面露出；去除所述多晶硅柱，以在所述层间介质层中形成与所述半导体元件相连通的孔；在形成有所述孔的半导体衬底上淀积金属层，以填充所述孔；对所述金属层进行抛光直至所述层间介质层的表面露出，以形成金属互连结构中的导电柱塞。