| 发明名称 | 用于掺杂半导体材料的方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明，将半导体材料的进料(4)置于坩埚(1)中。将包含掺杂剂材料(6)的密封牺牲容器(5)置于所述坩埚(1)内。使所述坩埚(1)的内容物熔融，从而导致所述掺杂剂引入到熔融材料的浴中。在低压下进行升温。 | ||
| 申请公布号 | CN103119206A | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN201180039656.9 | 申请日期 | 2011.07.01 |
| 申请人 | 阿波朗.索拉尔公司;希尔特罗尼克斯公司 | 发明人 | M.福斯特;E.福尔蒙德;J.斯塔德勒;R.艾恩豪斯;H.劳夫雷 |
| 分类号 | C30B11/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 用于掺杂半导体材料的方法，特征在于，该方法包括以下步骤：‑提供包含所述半导体材料原料(4)的坩埚(1)，‑将掺杂剂材料(6)置于闭合牺牲容器(5)中，该牺牲容器(5)由所述半导体材料形成，‑将该容器(5)放入该坩埚(1)中，‑使该坩埚(1)的内容物熔融。 | ||
| 地址 | 法国里昂 | ||