| 发明名称 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够减少光刻工艺的次数，降低显示装置的制作成本，提高产品的良品率。该方法包括：步骤1、在基板上形成包括栅电极和栅线的图形，并在非显示区域的栅线上方第一过孔预留位置设置光刻胶；步骤2、在完成前述步骤的基板上形成TFT各功能层及数据线的图形，并在非显示区域数据线上第二过孔预留位置设置光刻胶；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括第一像素电极的图形，然后形成钝化层；步骤4、在完成前述步骤的基板上去除第一过孔预留位置上设置的光刻胶及其上方的膜层，同时去除第二过孔预留位置上设置的光刻胶以及其上方的膜层，以形成第一过孔及第二过孔。 | ||
| 申请公布号 | CN103117284A | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN201310041932.6 | 申请日期 | 2013.02.01 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 秦纬;李文齐 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上形成包括栅电极和栅线的图形，并在非显示区域的栅线上方第一过孔预留位置设置光刻胶；步骤2、在完成前述步骤的基板上形成TFT各功能层及数据线的图形，并在非显示区域数据线上方第二过孔预留位置设置光刻胶；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括第一像素电极的图形，然后形成钝化层；步骤4、在完成前述步骤的基板上去除所述第一过孔预留位置上方设置的光刻胶及其上方的膜层，同时去除所述第二过孔预留位置上设置的光刻胶以及其上方的膜层，以形成第一过孔及第二过孔。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||