发明名称 Method for making vertical interconnections through structured layers
摘要 <p>L'Invention est relative à un procédé de réalisation d'au moins un puits d'interconnexion destiné à permettre la réalisation d'un via conducteur entre au moins deux couches de connexion d'un composant comprenant un empilement d'au moins un premier et un deuxième substrats isolés électriquement entre eux, le procédé comprenant la définition d'au moins une zone de contact de surface d'une couche de connexion de surface sur une surface de l'empilement et d'au moins une première zone de contact (41) enterrée dans l'empilement à partir d'une première couche de connexion enterrée (4) du premier substrat, caractérisé en ce qu'au moins une zone dépourvue de matière (51, 61) est disposée entre le premier (1) et le deuxième (2) substrats et en ce qu'il comporte une étape de réalisation par gravure plasma à partir de ladite surface (2', 3') de l'empilement d'au moins un premier puits d'interconnextion (82) traversant au moins le deuxième substrat (2) s'étendant entre la zone de contact de surface (82", 85") et la première zone de contact enterrée (41) et traversant la zone dépourvue de matière (51, 61), ainsi qu'une première couche (5) qui recouvre la première couche de connexion enterrée (4). </p>
申请公布号 EP2498287(A3) 申请公布日期 2013.05.22
申请号 EP20120158256 申请日期 2012.03.06
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 BERTHELOT, AUDREY;POLIZZI, JEAN-PHILIPPE
分类号 H01L21/768;B81C1/00;H01L23/48 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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