Hardmask Composition Coated under Photoresist and Process of Producing Integrated Circuit Devices Using thereof

摘要

본 발명의 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물은 250 nm 이하의 파장에서 흡광하고 우수한 코팅성과 겔성 디펙이 없는 특징을 가지며, 하드마스크 특성이 우수하여 재료층에 훌륭한 패턴을 전사할 수 있다.