| 摘要 |
<p>본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 장치는 기판, 화합물 반도체 층, 특별한 개구를 구비한 금속 전극층, 광 추출층 및 대향 전극을 포함한다. 광 추출층은 20㎚ 내지 120㎚의 두께를 가지며 금속 전극층의 금속부를 적어도 일부를 피복하거나, 그렇지 않으면 광 추출층은 요철 구조를 가지며 금속 전극층의 금속부를 적어도 일부 피복한다. 요철 구조는 정점들이 100㎚ 내지 600㎚의 간격으로 배치되고, 금속 전극층의 표면으로부터의 정점의 높이가 200㎚ 내지 700㎚가 되도록 배열되는 돌기부들을 갖는다.</p> |
