| 发明名称 | 半导体结构及其制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含有一基底、一介电层以及一含氟的金属层。介电层位于基底上。含氟的金属层位于介电层上。此外，本发明也提供一种半导体制作工艺，其可形成前述的半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103117297A | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN201110365347.2 | 申请日期 | 2011.11.17 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林坤贤;林俊贤;黄信富 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包含有：基底；介电层位于该基底上；以及含氟的金属层位于该介电层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||