导电插塞及形成方法

摘要

一种导电插塞，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极结构，贯穿所述栅极结构且与半导体衬底平行的若干纳米线有源区，位于所述半导体衬底表面且覆盖栅极结构和纳米线有源区的介质层，所述介质层填充满纳米线有源区之间的间隔空间；位于所述栅极结构两侧的凹槽，所述凹槽的侧壁具有倾斜角度，且所述凹槽使所述纳米线有源区具有刻蚀断面；填充满所述凹槽的介质材料；位于所述介质材料内的导电插塞，各导电插塞与对应的纳米线有源区相连。由于不同高度的所述纳米线有源区的刻蚀断面呈阶梯状排列，每根纳米线有源区两端与金属互连层之间都有导电插塞电学连接，可以对每根纳米线有源区两端的电压、电流进行控制，有利于提高器件性能。

主权项

一种导电插塞，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极结构，贯穿所述栅极结构且与半导体衬底平行的若干纳米线有源区，位于所述半导体衬底表面且覆盖栅极结构和纳米线有源区的介质层，所述介质层填充满纳米线有源区之间的间隔空间；位于所述栅极结构两侧的凹槽，所述凹槽的侧壁具有倾斜角度，且所述凹槽使所述纳米线有源区具有刻蚀断面；填充满所述凹槽的介质材料；位于所述介质材料内的导电插塞，各导电插塞与对应的纳米线有源区相连。