| 发明名称 | 光伏电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种用于制造诸如光伏电池等半导体器件的方法。所述方法包括：提供包含ZnO层的结构体；对所述结构体施加一定时间的表面处理，以在所述ZnO层上形成ZnS层；和在所述ZnS层上沉积有源结构体。所述有源结构体可以是光吸收性结构体(包括光吸收性半导体)或分子光吸收性染料。ZnO层和有源结构体之间提供的ZnS缓冲层改善了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103119674A | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN201180032207.1 | 申请日期 | 2011.06.29 |
| 申请人 | 曳达研究和发展有限公司 | 发明人 | G·霍蒂斯;E·埃德里;E·拉比诺维奇 |
| 分类号 | H01G9/20(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：‑提供包含ZnO层的结构体；‑对所述结构体施加一定时间的表面处理，以在所述ZnO层上形成ZnS层；和‑在所述ZnS层上沉积有源结构体。 | ||
| 地址 | 以色列雷霍沃特 | ||