发明名称 半导体装置的制造方法
摘要 本发明提供一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:通过在半导体衬底的第一表面上形成第一对准标记槽和第二对准标记槽、并对这些槽填充与半导体衬底不同的材料,形成第一对准标记和第二对准标记;利用第一对准标记对准以在第一表面上形成第一元件;将支撑衬底与第一表面接合;围绕预定轴将支撑衬底与半导体衬底的接合结构反转、并从半导体衬底的第二表面侧对半导体衬底削薄一直到至少获得如下厚度,以该厚度能够通过从半导体衬底的第二表面侧施加对准光而获得的反射光来检测第二对准标记的位置;以及使用第二对准标记对准以在第二表面上形成第二元件。
申请公布号 CN101840886B 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201010121266.3 申请日期 2010.02.11
申请人 索尼公司 发明人 石丸敏之;竹尾建治;高桥了
分类号 H01L21/822(2006.01)I;H01L21/71(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 宋海宁
主权项 一种半导体装置的制造方法,包括步骤:通过在半导体衬底的第一表面上形成第一对准标记槽和第二对准标记槽、并对这些槽填充与半导体衬底不同的材料,形成第一对准标记和第二对准标记;利用第一对准标记进行对准以在半导体衬底的第一表面上形成第一元件;将支撑衬底与半导体衬底的第一表面接合;围绕预定轴将所述支撑衬底与所述半导体衬底的接合结构反转、并从半导体衬底的第二表面侧对半导体衬底削薄直到第二对准标记的最靠近第二表面的部分被暴露于第二表面侧;去除暴露于第二表面侧的第二对准标记的一部分并在第二表面上形成遮光膜,该遮光膜具有与第二表面上的第二对准标记的图案相对应的凹凸形状;以及利用第二对准标记进行对准以在半导体衬底的第二表面上形成第二元件。
地址 日本东京