| 发明名称 | 互补式金属氧化物半导体影像传感器制造方法与制造系统 | ||
| 摘要 | 本发明揭示互补式金属氧化物半导体影像传感器的制造方法与制造系统，其中该互补式金属氧化物半导体影像传感器的制造方法包括以下步骤：形成一光二极管于一基底中；形成一源极区与一漏极区于上述基底中，其中上述源极区与上述漏极区的其中之一延伸至上述光二极管的至少一部分的上方；以及形成一热氧化层于上述光二极管上方。 | ||
| 申请公布号 | CN101266944B | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN200810003536.3 | 申请日期 | 2008.01.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 范民奇;黄以理 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种互补式金属氧化物半导体影像传感器的制造方法，包含：形成一光二极管于一基底中；形成一源极区与一漏极区于该基底中，其中该源极区与该漏极区的其中之一延伸至该光二极管的至少一部分的上方；以及于形成该光二极管及该源极区与该漏极区后，使用一氧化环境执行一快速热退火的工艺，以形成一热氧化层于该光二极管上方并退火该源极区与该漏极区，其中于该快速热退火工艺的升温过程的环境导入一氧气。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||