发明名称 |
一种功率半导体器件 |
摘要 |
本发明公开了一种功率半导体器件,该功率半导体器件在有源区的边缘处存在哑元区,经UIS测试后,坏点的出现无规律性,且随机分布于该功率半导体器件的有源区内,这说明引入哑元区后有效地增强了功率半导体器件的雪崩特性。 |
申请公布号 |
CN102244095B |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN201010178366.X |
申请日期 |
2010.05.11 |
申请人 |
力士科技股份有限公司 |
发明人 |
谢福渊 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种功率半导体器件,包括多个沟槽金属氧化物半导体场效应管单元,每个单元包括:第一导电类型的衬底;第一导电类型的外延层,该外延层位于所述衬底的上表面,且所述外延层的多数载流子浓度低于所述衬底;多个第一沟槽,位于有源区,且从所述外延层的上表面延伸入所述外延层;第二导电类型的体区,位于所述外延层的上部分;第一导电类型的源区,位于有源区,靠近所述体区的上表面,且靠近所述第一沟槽的侧壁,所述源区的多数载流子浓度高于所述外延层;哑元区,位于所述有源区的边缘,所述哑元区中不存在所述源区;至少一个第二沟槽,位于所述哑元区,从所述外延层的上表面延伸入所述外延层,用于形成至少一个哑元;第一绝缘层,覆盖所述第一沟槽和第二沟槽的内表面;栅极导电区域,填充于所述第一沟槽和第二沟槽内,且靠近所述第一绝缘层;第二绝缘层,覆盖所述外延层的上表面;多个源体接触沟槽,位于所述有源区和所述哑元区,其中,位于所述有源区的源体接触沟槽穿过所述第二绝缘层和所述源区,向下延伸入所述体区,位于所述哑元区的源体接触沟槽穿过所述第二绝缘层,向下延伸入所述体区;金属插塞,填充于所述源体接触沟槽内;源极金属,与位于源体接触沟槽中的金属插塞之间形成电学接触,以连接所述源区和体区;栅极金属连接线;漏极金属,位于所述衬底的下表面。 |
地址 |
中国台湾台北县板桥市信义路177-3号 |