| 发明名称 | 一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金属栅、硅栅层和硬掩膜层；然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶后，以硬掩膜为掩蔽，通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀；通过干法刻蚀工艺对TaN金属栅、Mo基金属栅和高K介质进行高选择比的各向异性刻蚀。本发明所提供的Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，适于纳米级CMOS器件中高K/金属栅的集成需要，为实现高K/金属栅的集成提供了必要保证。 | ||
| 申请公布号 | CN102315117B | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN201010223348.9 | 申请日期 | 2010.06.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李永亮;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，其特征在于，该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金属栅、硅栅层和硬掩膜层；然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶后，以硬掩膜为掩蔽，通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀；通过干法刻蚀工艺对TaN金属栅、Mo基金属栅和高K介质进行高选择比的各向异性刻蚀；其中，所述通过干法刻蚀工艺对TaN金属栅、Mo基金属栅和高K介质进行高选择比的各向异性刻蚀时采用BCl3基刻蚀气体作为刻蚀气体，干法刻蚀工艺条件为：上电极功率为120W至500W，下电极功率为40W至220W，压强为4mt至15mt，BCl3基刻蚀气体的总流量为40sccm至120sccm，腔体和电极的温度控制在50℃至80℃。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||