用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法

摘要

本发明提供了一种用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法，包括下列步骤：1)对晶片进行光刻和刻蚀，制作出悬臂梁；2)通过光刻和刻蚀在晶片正面制备氧化硅掩膜；3)对晶片背面进行光刻和刻蚀，制作出背面沟槽，所述背面沟槽位于悬臂梁的正下方；4)利用步骤2)制备的掩膜，从晶片正面利用各向异性干法刻蚀刻穿硅晶片；5)利用步骤2)制备的掩膜，从正面利用各向同性干法刻蚀悬臂梁下方的硅，并在缓冲氢氟酸中去除氧化硅以释放悬臂梁。本发明各步骤采用的都是通常的微纳机电系统的加工方法，可靠性高，成品率高、加工精度高、能够精确制备各种形状和尺寸的悬臂梁结构，并且可适用于各种不同取向的晶片，易于产业化。

主权项

一种用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法，其特征在于，包括下列步骤：1）对晶片进行光刻和刻蚀，制作出悬臂梁；所述晶片包括硅晶片或含氧化硅中间层和单晶硅器件层的晶片；2）通过光刻和刻蚀在晶片正面制备氧化硅掩膜；3）对晶片背面进行光刻和刻蚀，制作出背面沟槽，所述背面沟槽位于悬臂梁的正下方；4）利用步骤2）所制备的氧化硅掩膜，从晶片正面利用各向异性干法刻蚀刻穿硅晶片；5）利用步骤2）所制备的氧化硅掩膜，从正面利用各向同性干法刻蚀悬臂梁下方的硅，去除掩膜，释放悬臂梁。