一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法

摘要

本发明公开了一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法，应用于半导体集成电路的制造领域。该方法包括：在多晶硅栅的两侧制作侧墙；对MOS晶体管的源漏进行光刻；注入磷离子形成N-区，所述N-区的一侧边缘延伸至侧墙下方；注入砷离子，其中，注入砷离子时，砷离子注入的方向垂直于晶圆；去除MOS晶体管表面的光刻胶；对MOS晶体管进行源漏退火操作，磷离子从侧墙下方扩散至多晶硅栅的下方，形成N型轻掺杂漏区，砷离子掺杂区形成源区和漏区。本发明公开的方法能够减少MOS晶体管轻掺杂漏区的制造中的工艺步骤。

主权项

一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法，其特征在于，包括：在形成多晶硅栅之后，在所述多晶硅栅的两侧制作侧墙；在MOS晶体管的表面覆盖光刻胶，实现对MOS晶体管源漏进行光刻，以去除有源区的光刻胶；通过向P阱中注入磷离子形成N‑区，所述N‑区的一侧边缘延伸至所述侧墙的下方；向所述P阱中注入砷离子，其中，注入所述砷离子时，注入的方向垂直于晶圆；去除所述MOS晶体管表面的光刻胶；对所述MOS晶体管进行源漏退火操作，使所述磷离子从所述侧墙的下方扩散至所述多晶硅栅的下方，以形成N型轻掺杂漏区，砷离子与磷离子的掺杂区形成源区和漏区。