发明名称 用于半导体硅片上深孔均匀金属互连的方法与装置
摘要 揭示了一种用于以电解液金属化硅片的设备。该设备包括:一个浸入式腔体,盛放金属盐电解液;至少一个电极与至少一个电源相连接;一个导电的硅片固持装置固持至少一片硅片,将其可导电的一面面向至少一个电极,并且经固持装置导电;一个振动驱动装置,以一定振幅与频率,沿轴向振动硅片固持装置;至少一个超声装置放置于金属化设备中,其工作频率与声强强度可控;至少一个超声能量发生器,与超声装置相连;至少一个金属盐电解液供给进口;至少一个金属盐电解液排放出口。本发明同时涉及一种用于半导体硅片上深孔均匀金属互连的方法与装置。
申请公布号 CN103114319A 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201110365926.7 申请日期 2011.11.17
申请人 盛美半导体设备(上海)有限公司 发明人 王晖;马悦;何川;王希
分类号 C25D5/20(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 C25D5/20(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆嘉
主权项 一种电解液金属化硅片的设备包括:一个盛放金属盐电解液的浸入式腔体;至少一个电极与至少一个电源相连接;一个导电的硅片固持装置,固持至少一片硅片,将其可导电的一面面向至少一个电极,并且经固持装置导电;一个振动驱动装置,以一定振幅与频率,沿轴向振动硅片固持装置;至少一个超声装置,其工作频率与强度可控;至少一个超声能量发生器,与超声装置相连;至少一个金属盐电解液供给进口;至少一个金属盐电解液排放出口。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号4幢