硅通孔结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至5微米至20微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。

主权项

一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至5微米至20微米；去除所述硅片表面的所有绝缘层；在所述硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对所述导电区和所述绝缘区分别进行粒子掺杂，所述绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除所述掺杂掩膜；在所述导电区表面覆盖金属电极；在所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖绝缘层。