发明名称 fabrication method of thermoelectric materials containing nano-dot made by external generation and inclusion
摘要 <p>본 발명은 Te계 열전재료의 제조방법에 관한 것으로서, Ag, Sb, Te를 조성비에 맞게 각각 칭량하여 진공상태의 앰플에 장입하여 용융시키는 제1단계와; 상기 용융된 원료를 냉각하여 잉곳을 형성하는 제2단계와; 상기 잉곳을 열처리한 후 파쇄하여 AgSbTe나노분말을 제조하는 제3단계와; Te계 열전재료와 상기 AgSbTe나노분말을 각각 칭량하여 진공상태의 앰플에 장입하고 열처리를 수행하는 제4단계와; 상기 용융된 원료를 급냉하여 얻은 잉곳을 와이어 컷팅하거나, 상기 잉곳을 파쇄하여 열간 프레스 공정 후 와이어 컷팅하는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 외생삽입을 통한 AgSbTe나노돗이 형성된 Te계 열전재료의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 Te계 열전재료 매트릭스에 AgSbTe나노돗의 균일한 형성으로, 나노돗의 제어가 용이하며, 낮은 열확산도, 큰 제벡계수, 낮은 비저항, 높은 출력인자, 낮은 열전도도를 가지게 되어 무차원성능지수를 향상시켜 우수한 열전재료가 될 수 있으며, 이는 열전발전 및 열전냉각 분야에서 열전재료로써 널리 사용 될 수 있는 이점이 있다.</p>
申请公布号 KR101264311(B1) 申请公布日期 2013.05.22
申请号 KR20090135094 申请日期 2009.12.31
申请人 发明人
分类号 B82B3/00;C22C1/05;H01L35/18 主分类号 B82B3/00
代理机构 代理人
主权项
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