一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法

摘要

本发明公开了一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法，包含：所述交织SRAM的交织距离为m个存储单元，所述存储单元即bit；以连续n个存储单元为一擦洗单位，将所述交织SRAM顺序划分成若干个擦洗单位，并将位于奇数位的擦洗单位设为第一擦洗部分，余下的设为擦洗第二部分；依次循环对所述第一部擦洗分和第二擦洗部分进行擦洗；利用位于所述交织SRAM外围的SEC电路对每个字节内的单个错位进行纠正；使每个字节相邻的两个存储单元在前后两轮擦洗中。本发明提供的擦洗方法，解决了现有的擦洗方法存在的擦洗效率低、没有有效利用SEC电路的问题。

主权项

一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法，包含：所述交织SRAM的交织距离为m个存储单元，所述存储单元即bit；以连续n个存储单元为一擦洗单位，将所述交织SRAM顺序划分成若干个擦洗单位，并将位于奇数位的擦洗单位设为第一擦洗部分，余下的设为擦洗第二部分；依次循环对所述第一部擦洗分和第二擦洗部分进行擦洗；利用位于所述交织SRAM外围的SEC电路对每个字节内的单个错位进行纠正；其特征在于，所述擦洗方法还包含：使每个字节相邻的两个存储单元在前后两轮擦洗中。