发明名称 一种原子层沉积设备
摘要 本发明公开了一种原子层沉积的设备,其是由盖板和主体腔室构成的可开闭的封闭腔室;所述盖板内表面设置有气路单元,所述气路单元包括多个气流通道,所述多个气流通道通过间隔层相间隔,且每个所述气流通道与盖板的外表面上设置的多个气孔相连通;所述主体腔室包括可旋转承载盘和传动系统,所述传动系统带动所述可旋转承载盘进行旋转,所述可旋转承载盘上设置有放置晶片的凹槽;其中,所述多个气流通道至少包括第一气流通道和第二气流通道,所述第一气流通道用于通入反应源气体,所述第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出。该设备能够提高原子层外延的速度,节省单项工艺时间。通过提高承载盘的转速,可以提高原子层外延的生长速率。
申请公布号 CN103114277A 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201310072067.1 申请日期 2013.03.07
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 赵万顺;张峰;王雷;曾一平
分类号 C23C16/455(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种原子层沉积设备,其是由盖板和主体腔室构成的可开闭的封闭腔室;所述盖板内表面设置有气路单元,所述气路单元至少包括第一气流通道和第二气流通道,且所述第一气流通道和第二气流通道通过间隔层相间隔,且每个所述气流通道均有气孔与外部相连;所述主体腔室包括可旋转承载盘和传动系统,所述传动系统带动所述可旋转承载盘进行旋转,所述可旋转承载盘上设置有放置晶片的凹槽。
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
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