发明名称 |
一种改善激光退火后晶圆表面电阻均匀性的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种改善激光退火后晶圆表面电阻均匀性的方法。采用激光退火装置对晶圆进行激光退火扫描,激光退火扫描包括初次扫描和二次扫描,其中初次扫描工艺中晶圆凹口的开口端朝向一个方向,并且保持不变,在二次扫描时晶圆凹口的开口端方向相对于初次扫描中的晶圆凹口方向朝向另一个方向,并且在二次扫描工艺中晶圆的凹口方向也保持不变。通过本发明方法进行退火后,能够克服在单一晶圆内部电阻的均匀性较差的问题,能够有效改进激光在晶圆表面的均匀性,最终改善退火后电阻的均匀性。 |
申请公布号 |
CN103117211A |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN201310055069.X |
申请日期 |
2013.02.20 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
邱裕明 |
分类号 |
H01L21/268(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/268(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
竺路玲 |
主权项 |
一种改善激光退火后晶圆表面电阻均匀性的方法,其特征在于,包括:采用激光退火装置对所述晶圆依次进行初次扫描工艺和二次扫描工艺;在对所述晶圆进行初次扫描工艺过程中,所述晶圆的凹口的开口端朝向不变;对所述晶圆进行初次扫描工艺后,将所述晶圆旋转一定角度后,继续对所述晶圆进行二次扫描工艺。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |