| 发明名称 | 无定形碳氮膜的形成方法、无定形碳氮膜、多层抗蚀剂膜、半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明形成一种耐蚀刻性优异且在曝光抗蚀剂膜时能够降低反射率的无定形碳膜。在半导体装置的制造方法中，包括：在晶片上形成蚀刻对象膜的工序，在处理容器内供给含有CO气体和N2气体的处理气体的工序，从供给的CO气体和N2气体形成无定形碳氮膜(330)的工序，在膜(330)上形成氧化硅膜(335)的工序，在膜(335)上形成ArF抗蚀剂膜(345)的工序，对ArF抗蚀剂膜(345)进行图案形成的工序，将ArF抗蚀剂膜(345)作为掩膜对氧化硅膜(335)进行蚀刻的工序，将氧化硅膜(335)作为掩膜对无定形碳氮膜(330)进行蚀刻的工序，将无定形碳氮膜(330)作为掩膜对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102112651B | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN200980130664.7 | 申请日期 | 2009.06.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 石川拓;西村荣一 |
| 分类号 | C23C16/36(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 苗堃;金世煜 |
| 主权项 | 一种无定形碳氮膜的形成方法，具有：在处理容器的内部配置被处理体的工序，向所述处理容器的内部供给含一氧化碳气体和氮气的处理气体的工序，在所述处理容器的内部使一氧化碳气体和氮气分解，在被处理体上形成无定形碳氮膜的工序，其中，所述无定形碳氮膜中的氮原子的含有率为该膜中含有的碳原子的10％以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||