发明名称 |
半导体纳米结构和制造方法及其应用 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体纳米结构和制造方法及其应用,属于半导体材料制备技术领域。所述半导体纳米结构包括单晶硅衬底、介质薄膜、第一缓冲层、半导体籽晶材料、第二缓冲层和半导体纳米功能区;所述介质薄膜形成于所述单晶硅衬底上;所述单晶硅衬底上具有图形化窗口,所述第一缓冲层形成于所述图形化窗口中的单晶硅衬底上,所述半导体籽晶材料层形成于所述第一缓冲层上;所述第二缓冲层和半导体纳米功能区形成于所述介质薄膜上。本发明半导体纳米结构在硅衬底上集成生长时,其载流子迁移率、几何特征与异质结构都能满足高性能CMOS技术与硅基光电集成的要求。 |
申请公布号 |
CN102107852B |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN200910312160.9 |
申请日期 |
2009.12.24 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
刘洪刚;刘新宇;吴德馨 |
分类号 |
B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
B82B1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
一种半导体纳米结构,其特征在于,包括单晶硅衬底、介质薄膜、第一缓冲层、半导体籽晶材料、第二缓冲层、半导体纳米功能区和半导体牺牲层;所述介质薄膜形成于所述单晶硅衬底上;所述单晶硅衬底上具有图形化窗口,所述第一缓冲层形成于所述图形化窗口中的单晶硅衬底上,所述半导体籽晶材料层形成于所述第一缓冲层上;所述第二缓冲层和半导体纳米功能区形成于所述介质薄膜上,在第二缓冲层上通过选择性外延有半导体纳米功能区和半导体牺牲层。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |