发明名称 |
矽穿孔连通延伸之晶片封装构造 |
摘要 |
揭示一种矽穿孔连通延伸之晶片封装构造,主要包含基板、设置于基板上之晶片、导电填充材以及用以密封晶片之封胶体。基板具有贯穿之基板通孔,与晶片之矽穿孔为纵向对应连通。导电填充材以液态填充方式形成于矽穿孔与基板通孔中,导电填充材更突出于基板下表面,以形成为孔对孔一体连接之外接凸块。因此,该晶片封装构造的制造中能省略知打线步骤与植球步骤,并降低晶片封装构造之整体高度以及缩小封装尺寸。 |
申请公布号 |
TWI397164 |
申请公布日期 |
2013.05.21 |
申请号 |
TW097141868 |
申请日期 |
2008.10.30 |
申请人 |
力成科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 |
发明人 |
邱启弘 |
分类号 |
H01L23/535;H01L23/28;H01L25/04 |
主分类号 |
H01L23/535 |
代理机构 |
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代理人 |
许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号 |
主权项 |
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地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 |