发明名称 矽穿孔连通延伸之晶片封装构造
摘要 揭示一种矽穿孔连通延伸之晶片封装构造,主要包含基板、设置于基板上之晶片、导电填充材以及用以密封晶片之封胶体。基板具有贯穿之基板通孔,与晶片之矽穿孔为纵向对应连通。导电填充材以液态填充方式形成于矽穿孔与基板通孔中,导电填充材更突出于基板下表面,以形成为孔对孔一体连接之外接凸块。因此,该晶片封装构造的制造中能省略知打线步骤与植球步骤,并降低晶片封装构造之整体高度以及缩小封装尺寸。
申请公布号 TWI397164 申请公布日期 2013.05.21
申请号 TW097141868 申请日期 2008.10.30
申请人 力成科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 发明人 邱启弘
分类号 H01L23/535;H01L23/28;H01L25/04 主分类号 H01L23/535
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号