| 摘要 |
本发明之半导体装置的制造方法系具有：将基板搬入处理室内的步骤；将第1及第2成膜气体供给至前述处理室内，而在基板上形成薄膜的步骤，其中该第1成膜气体含有构成要形成的薄膜之复数个元素当中至少1个元素，其单独能使膜堆积、而第2成膜气体含有前述复数个元素当中之其他的至少1个元素，其单独无法使膜堆积；将形成薄膜后的基板从前述处理室内搬出的步骤；以及对前述处理室内及用以供给前述第1成膜气体的供给部内供给清洁气体，同时使对前述处理室内作供给的清洁气体、与对前述供给部内作供给的清洁气体之供给流量、浓度、及种类至少任一不同，并对附着于前述处理室内的第1堆积物，及附着于前述供给部内且与第1堆积物之化学组成不同的第2堆积物予以除去的步骤。 |
