发明名称 电阻式随机存取记忆体结构及其制作方法
摘要 一种电阻式随机存取记忆体的制作方法。首先,形成一下电极,接着,于下电极上,形成一电阻层,然后,于电阻层上,形成一上电极,其中上电极系选自下列群组:氧化铟锡以及氧化铟锌,最后以一紫外线照射上电极。
申请公布号 TWI397152 申请公布日期 2013.05.21
申请号 TW097136838 申请日期 2008.09.25
申请人 南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 发明人 谢君毅;吴昌荣;施能泰;刘国辰
分类号 H01L21/8239 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号