发明名称 |
电阻式随机存取记忆体结构及其制作方法 |
摘要 |
一种电阻式随机存取记忆体的制作方法。首先,形成一下电极,接着,于下电极上,形成一电阻层,然后,于电阻层上,形成一上电极,其中上电极系选自下列群组:氧化铟锡以及氧化铟锌,最后以一紫外线照射上电极。 |
申请公布号 |
TWI397152 |
申请公布日期 |
2013.05.21 |
申请号 |
TW097136838 |
申请日期 |
2008.09.25 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
谢君毅;吴昌荣;施能泰;刘国辰 |
分类号 |
H01L21/8239 |
主分类号 |
H01L21/8239 |
代理机构 |
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代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
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地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |