用于减少穿通泄漏之记忆体单元与阵列操作方法

摘要

本发明揭露一种用于程式化记忆体阵列中之第一记忆体单元之方法。在特定实施例中，每一记忆体单元具有汲极、源极、通道、以及上覆于电荷储存材料及通道的控制闸极。第一记忆体单元之源极耦接至第二记忆体单元之汲极。将一电压施加于第一记忆体单元之汲极，且将第二记忆体单元之源极接地。此方法包含浮动第二记忆体单元之汲极及第一记忆体单元之源极，并接通第一及第二记忆体单元之通道，从而有效形成一扩展通道区域。将热载流子注入至第一单元之电荷储存材料以程式化第一记忆体单元。扩展通道降低电场并减少未选定记忆体单元中之穿通泄漏。