在积体电路中具静电放电防护能力的水平扩散金氧半导体电晶体（ＬＤＭＯＳ）元件

摘要

本发明提供一种具静电放电防护能力的水平扩散金氧半导体电晶体(LDMOS)元件，包括一半导体基底，其上有一磊晶层。一图案化的隔离区设置于该磊晶层上，定义一第一主动区及一第二主动区。一N－型双扩散区设置于该第一主动区中，一N－型浓掺杂汲极区设置于该N－型双扩散区中。一P－型体掺杂区于该第二主动区中，其中该N－型双扩散区和该P－型体掺杂区相隔一特定距离，露出该半导体基底，一对相邻的一N－型和一P－型浓掺杂源极区设置于该P－型体掺杂区中，以及一闸极结构于该N－型浓掺杂源极区和该N－型浓掺杂汲极区之间。一额外的浓掺杂区设置于该半导体基底与该磊晶层的介面之间。