形成矽穿孔之多晶片堆叠过程

摘要

揭示一种形成矽穿孔之多晶片堆叠过程。黏设第一晶片于载板上以及黏设至少一第二晶片于第一晶片上。在第一晶片与载板之间系设有一第一黏着层，并在每一第二晶片之下方设有一第二黏着层。晶片堆叠之后，形成复数个贯穿孔，以贯穿第二晶片、第二黏着层、第一晶片与第一黏着层直到载板。之后，形成一导电材料于贯穿孔内，以电性导通第一晶片与第二晶片。藉此，能解决知底部填充胶不易填入至矽穿孔晶片间的间隙之孔隙问题，进而提高高密度多晶片堆叠产品的可靠度。