氮化镓系磊晶晶圆、及氮化镓系半导体发光元件之制作方法

摘要

原料气体于有机金属气相成长炉21之流道23中流动。将原料气体于自基座25之主面25a之一端横越另一端之方向供给。于基座主面25a上配置有GaN基板27a~27c。倾斜角于自氮化镓基板27a~27c之主面边缘上之一点朝向该边缘上之另一点的线段上单调地变化。各GaN基板27a~27c之定向由定向平面之方向表示。以该定向将复数个氮化镓基板27a~27c配置于有机金属气相成长炉21之基座25上，藉此可利用上述原料气体流所产生之影响来缩小倾斜角分布之影响。