| 摘要 |
<p>패턴(310, 610)이 리소그래피 단계(400)를 이용하여 기판(W) 상에 형성된다. 이 패턴은, 기판 상에 서로 인접하여 위치되고 각각의 제1 및 제2 주기성을 갖는 제1 및 제2 서브-패턴(312, 316; 612, 616)을 포함한다. 패턴은 제1 및 제2 주기성의 주파수보다 낮은 주파수에서 제3 주기성을 갖는 비트 성분(beat component)을 포함하는 조합된 신호(403)를 획득하기 위해 관측된다(402). 리소그래피 공정의 성능의 파라미터는 비트 성분의 페이스(405)를 참조하여 결정된다(406). 서브-패턴이 형성되는 방법에 따라, 성능 파라미터는 예컨대 크리티컬 디멘전(CD) 또는 오버레이일 것이다. CD 측정을 위해, 서브-패턴 중의 하나는 제품형 특징부(product-like feature)에 의해 세부 분할된 부분을 각각 갖는 마크를 포함할 수 있다. 측정은 리소그래피 장치의 기존의 정렬 센서를 이용하여 행해질 수 있다. 측정의 감도 및 정확도는 제1 및 제2 주기성의 선택 및 그에 따라 제3 주기성에 의해 조정될 수 있다.</p> |
