| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 메모리 소자의 리프레쉬 제어장치 및 이를 이용한 리프레쉬 제어방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체 메모리 소자의 리프레쉬 제어장치는 칩내의 동작온도를 센싱하여 아날로그 전압으로 출력하는 온도센서와; 상기 온도센서에서 출력되는 아날로그 전압에 따라 베이스 클럭(base_clock)의 주파수를 가변시켜 출력하는 전압 조절 발진기와; 상기 전압 조절 발진기를 트리밍하기 위한 신호와 리프레쉬 주기 트리밍 신호를 출력하는 비휘발성 메모리와; 상기 리프레쉬 주기 트리밍 신호에 따라 상기 베이스 클럭을 최종 목표의 주파수를 갖는 리프레쉬 클럭으로 출력시키는 리프레쉬 주기 조절부와; 상기 리프레쉬 클럭을 받아 해당 리프레쉬 어드레스 신호를 발생시키는 어드레스 카운터와; 상기 리프레쉬 클럭과 상기 리프레쉬 어드레스 신호를 받아서 데이터 보존을 위한 리프레쉬 동작을 수행하는 메모리부로 구성된 것을 포함하고, 상술한 본 발명은 칩내에 동작 온도를 감지하는 온도센서를 구비하여 리프레쉬 동작 유무 및 주기를 제어함으로써, 저온에서의 불필요한 리프레쉬 동작을 저감시킴으로써 전력소모를 감소시킬 수 있다.</p> |
