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发明名称 Positive Resist Composition and Patterning Process
摘要 <p>본 발명의 레지스트 재료는 고에너지선 조사에 의해 산을 발생한 경우에 매우 강한 술폰산을 발생하여, 화학 증폭형 레지스트 재료 중의 산 불안정기를 효율적으로 절단할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101265383(B1) 申请公布日期 2013.05.20
申请号 KR20090011411 申请日期 2009.02.12
申请人 发明人
分类号 G03F7/039 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人
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