发明名称 DISPOSITIF MEMOIRE
摘要 L'invention concerne un dispositif mémoire comprenant des premier et second inverseurs (102, 104) intercouplés entre des premier et second noeuds (106, 108), le premier inverseur étant adapté à être alimenté par une première tension d'alimentation (V , GND) par l'intermédiaire d'un premier transistor (202) et le second inverseur étant adapté à être alimenté par la première tension d'alimentation par l'intermédiaire d'un second transistor (204) ; un premier circuit de commande (206) adapté à commander la grille (210) du premier transistor en fonction de la tension sur le second noeud (108) et sur la grille (220) du second transistor ; et un second circuit de commande (208) adapté à commander la grille (220) du second transistor en fonction de la tension sur le premier noeud (106) et sur la grille du premier transistor.
申请公布号 FR2982701(A1) 申请公布日期 2013.05.17
申请号 FR20110060411 申请日期 2011.11.16
申请人 STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS 发明人 GLORIEUX MAXIMILIEN;CLERC SYLVAIN;GASIOT GILLES;ROCHE PHILIPPE
分类号 G11C11/405;G11C11/4078 主分类号 G11C11/405
代理机构 代理人
主权项
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