摘要 |
L'invention concerne un dispositif mémoire comprenant des premier et second inverseurs (102, 104) intercouplés entre des premier et second noeuds (106, 108), le premier inverseur étant adapté à être alimenté par une première tension d'alimentation (V , GND) par l'intermédiaire d'un premier transistor (202) et le second inverseur étant adapté à être alimenté par la première tension d'alimentation par l'intermédiaire d'un second transistor (204) ; un premier circuit de commande (206) adapté à commander la grille (210) du premier transistor en fonction de la tension sur le second noeud (108) et sur la grille (220) du second transistor ; et un second circuit de commande (208) adapté à commander la grille (220) du second transistor en fonction de la tension sur le premier noeud (106) et sur la grille du premier transistor.
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