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<p>본 발명은, 반도체 소자의 고내압화를 위해 최적의 도체 패턴을 형성하면서, 도체 패턴을 검사할 수 있는 반도체 소자의 검사방법, 반도체 소자의 검사장치, 및 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 검사방법은, 가드링 위에 형성된 제1 도체 패턴과 다른 가드링 위에 형성된 제2 도체 패턴을 갖는 반도체 소자의 검사방법에 있어서, 상기 제1 도체 패턴과 상기 제2 도체 패턴 사이의 저항값을 측정하여, 도체 이물질의 유무를 검사하는 도체 이물질 검사공정과, 각 도체 패턴의 2점 사이의 저항값을 측정하여, 각 도체 패턴의 단선의 유무를 검사하는 단선 검사공정을 구비한다. 그리고, 각 검사공정에서는, 프로브를 각 도체 패턴에 수직으로 눌러 상기 저항값을 측정하는 것을 특징으로 한다.</p> |
