Rippenfeldeffekttransistoren und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Rippenfeldeffekttransistor (FinFET). Ein beispielhafter Aufbau eines FinFET (200) umfasst ein Substrat (202) mit einer oberen Oberfläche (202s); eine erste Rippe (212_1) und eine zweite Rippe (212_2), die sich über der oberen Substratoberfläche (202s) erstrecken, wobei jede der Rippen (212_1, 212_2) eine obere Oberfläche (222t_1, 222t_2) und Seitenwände (222s_1, 222s_2) aufweist; eine Isolationsschicht (217) zwischen der ersten und der zweiten Rippe (212_1, 212_2), die sich von der oberen Substratoberfläche (202s) aus teilweise die Rippen (212_1, 212_2) hinauf erstreckt; ein erstes Gate-Dielektrikum (224a), das die obere Oberfläche (222t_1) und die Seitenwände (222s_1) der ersten Rippe (212_1) mit einer ersten Dicke (tx) bedeckt, und ein zweites Gate-Dielektrikum (234), das die obere Oberfläche (222t_2) und Seitenwände (222s_2) der zweiten Rippe (212_2) mit einer zweiten Dicke (t2), die kleiner als die erste Dicke (tx) ist, bedeckt; und einen leitenden Gatestreifen (226), der das erste Gate-Dielektrikum (224a) und das zweite Gate-Dielektrikum (234) überlagert oder überliegt.