| 摘要 |
Bei Magnetresonanztomographie-Anlagen ist es aufgrund der hochfrequenten magnetischen Wechselfelder wichtig, dass steuernde Schaltungseinrichtungen gut gegen die magnetischen Wechselfelder abgeschirmt sind. Andernfalls können Störspannungen in diese Schaltungsanordnungen induziert und hierdurch die Funktionstüchtigkeit der MRT-Anlage beeinträchtigt werden. Eine der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist es, einen zuverlässigen und dennoch effizienten Betrieb einer MRT-Anlage zu ermöglichen. Bei der erfindungsgemäßen MRT-Anlage (10) ist eine Stromstärke eines Spulenstroms (I) mittels einer Mehrzahl von Halbleiter-Leistungsschaltern (S1–S4) in Abhängigkeit von einem Steuersignal (S) steuerbar. Die Halbleiter-Leistungsschalter (S1–S4) empfangen das Steuersignal (S) an einem jeweiligen Steuereingang (E1–E4) aus einer Steuerleitung (18). Bei wenigstens zwei der Halbleiter-Leistungsschalter (S1–S4) ist zwischen deren Steuereingang und der Steuerleitung (18) jeweils ein Kompensationswiderstandselement (R1–R4) geschaltet. Hierbei sind Widerstandswerte der Kompensationswiderstandselemente (R1–R4) verschieden. |
