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Eine Temperaturerhöhungseinrichtung, die nicht nur eine geringe Größe aufweist, preiswert ist und mit der die Temperatur einfach gesteuert werden kann, sondern die auch für einen Temperaturerhöhungstest bei einer Temperatur jenseits der Temperaturgrenze eines aus Silicium hergestellten Halbleiterbauelements eingesetzt werden kann, und ein Temperaturerhöhungs-Testverfahren unter Verwendung der Temperaturerhöhungseinrichtung werden bereitgestellt. Eine externe Gleichstromversorgung 2 führt einer Drain-Elektrode eines MOSFET 10, der aus Siliciumcarbid (SiC) besteht, eine Versorgungsspannung zu, und eine variable Vorspannung, die aus der auf diese Weise zugeführten Versorgungsspannung erzeugt wird, wird an eine Gate-Elektrode 13 angelegt, um die Temperatur des MOSFET 10 zu erhöhen. Zu einer Spannung, die durch Widerstände R3, R4 von der Versorgungsspannung geteilt wird, wird eine Änderung in einer Spannung, die durch Widerstände R1, R2 von der Versorgungsspannung geteilt wird, durch einen vorgegebenen negativen Verstärkungsfaktor in dem MOSFET 20 verstärkt und an einer Drain-Elektrode 21 addiert, so dass die Drain-Elektrode 21 eine feste Spannung erreicht, wodurch die Vorspannung konstant gehalten wird.
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