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Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben, mit–zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) mit einer Strahlungsaustrittsfläche, die zumindest eine Seitenfläche (4) und eine Hauptfläche (3) des strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) umfasst,–zumindest einem Konversionselement (5), das dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) nachgeordnet ist, derart, dass ein Großteil einer im strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) im Betrieb emittierte Primärstrahlung (30) in das Konversionselement (5) tritt, wobei ein Großteil der in das Konversionselement (5) eingetretenen Primärstrahlung (30) im Konversionselement (5) absorbiert wird und das Konversionselement (5) Sekundärstrahlung (31) emittiert, und–zumindest einem Filterelement (9), das dem Konversionselement (5) und dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) derart nachgeordnet ist, dass Primärstrahlung (30) und Sekundärstrahlung (31) das strahlungsemittierende Bauelement (2) ausschließlich durch das Filterelement (9) hindurch verlassen, wobei das Filterelement (9) einen Großteil der in das Filterelement (9) eintretenden Primärstrahlung (30) am Durchtritt hindert.
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