Verfahren und Struktur zum Abgleichen der Austrittsarbeit in Transistoren, die einen Gate-Elektroden-Isolator mit hoher Dielektrizitätskonstante und eine Metall-Gate-Elektrode (HKMG) enthalten,申请号DE201111101277T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren und Struktur zum Abgleichen der Austrittsarbeit in Transistoren, die einen Gate-Elektroden-Isolator mit hoher Dielektrizitätskonstante und eine Metall-Gate-Elektrode (HKMG) enthalten
摘要
申请公布号	DE112011101277(T5)	申请公布日期	2013.05.16
申请号	DE201111101277T	申请日期	2011.04.05
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION	发明人	CHUDZIK, MICHAEL P.;HENSON, WILLIAM K.;KWON, UNOH
分类号	H01L29/76	主分类号	H01L29/76
代理机构		代理人
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