Verfahren zur Bildung einer vergrabenen Ätzstoppschicht in einem Transistor mit eingebettetem verformungsinduzierenden Material, das in Aussparungen mit geneigten Seitenwänden hergestellt ist, und Halbleiterbauelement

摘要

Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente werden verformungsinduzierende Halbleitermaterialien in die aktiven Gebiete auf der Grundlage von Aussparungen eingebaut, die mittels kristallographisch anisotroper Ätzverfahren hergestellt werden. Um die gewünschte Gleichmäßigkeit für den epitaktischen Aufwachsvorgang und der Transistoreigenschaften zu erreichen, wird eine vergrabene Ätzstoppschicht in den aktiven Gebieten vorgesehen. Beispielsweise kann die vergrabene Ätzstoppschicht unter Anwendung eines Implantationsprozesses eingebaut werden.