| 摘要 |
Eine Solarzelle wird offenbart. Die Solarzelle beinhaltet ein p-Typ-dotiertes Halbleitermaterial und ein n-Typ-dotiertes Halbleitermaterial, das lateral an das p-Typ-Material angrenzt. Das p-Typ-Material und das n-Typ-Material bilden eine abisolierte Struktur mit endlicher Tiefe und bilden eine vertikal strukturierte Diode an dem Übergang des p-Typ-Materials und des n-Typ-Materials. Die Tiefe der vertikal strukturierten Diode wird durch ein Vielfaches einer elektromagnetischen Eindringtiefe mindestens eines des p-Typ-Materials oder des n-Typ-Materials bestimmt, und eine Breite einer Verarmungsschicht wird durch eine Dotierkonzentration des p-Typ-Materials und des n-Typ-Materials gesteuert. Eine Solarzelle mit einem feuerfesten Material, das ein optisches Element bildet, das auf einer der Sonne zugewandten Fläche der Solarzelle bereitgestellt wird und dazu eingerichtet ist, Photonen zu einem Verarmungsgebiet einer vertikal strukturierten Photodiode zu leiten, wird ebenfalls offenbart.
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