发明名称 |
一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法 |
摘要 |
本发明公开了一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法,包括如下步骤:a.利用静电吸盘对圆片进行静电吸附,并稳定工艺所需要的气氛;b.进行圆片主工艺子步骤,所述主工艺子步骤的时间小于圆片主工艺要求的时间;c.解除所述静电吸盘对所述圆片的静电吸附,并进行静电释放;d.判断之前进行的所有的所述主工艺子步骤的累积时间是否达到要求,如果判断结果为“是”,则进行步骤e,如果判断结果为“否”,则再次进行步骤a;e.圆片制造结束,进行圆片的传输。该刻蚀方法避免圆片持续与静电吸盘接触,减少了圆片表面静电积聚,从而解决了DSIE工艺中圆片表面糊胶和位置碎片的问题。 |
申请公布号 |
CN103107080A |
申请公布日期 |
2013.05.15 |
申请号 |
CN201310011772.0 |
申请日期 |
2013.01.11 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
章安娜;李晓明 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
马晓亚 |
主权项 |
一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:a.利用静电吸盘对圆片进行静电吸附,并稳定工艺所需要的气氛;b.进行圆片主工艺子步骤,所述主工艺子步骤的时间小于圆片主工艺要求的时间;c.解除所述静电吸盘对所述圆片的静电吸附,并进行静电释放;d.判断之前进行的所有的所述主工艺子步骤的累积时间是否达到预期设定,如果判断结果为“是”,则进行步骤e,如果判断结果为“否”,则再次进行步骤a,从而顺次再进行一次主工艺子步骤;e.圆片制造结束,进行圆片的传输。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 |