一种基于MEMS工艺THz波段EMXT腔体滤波器

摘要

本发明涉及一种基于MEMS工艺THz波段EMXT腔体滤波器，适用于太赫兹波段，属于太赫兹技术领域。包括上层硅圆片、下层硅圆片和主体部分；上层硅圆片有定位槽和盲文标示；主体部分包括PBG结构和波导腔，PBG结构由硅柱组成，硅柱之间填充有空气；PBG结构位于波导腔的腔体内；所述的硅柱的表面溅射有金层；在PBG结构中引入了线缺陷和点缺陷，线缺陷形成PBG波导，位于波导腔的腔体内左右两侧，点缺陷形成中间三个谐振腔结构；滤波器采用上层硅圆片和下层硅圆片进行加工。

主权项

基于MEMS工艺THz波段EMXT腔体滤波器，其特征在于：包括上层硅圆片、下层硅圆片和主体部分；上层硅圆片有定位槽和盲文标示；主体部分包括PBG结构和波导腔，PBG结构由硅柱组成，硅柱之间填充有空气；PBG结构位于波导腔的腔体内；所述的硅柱的表面溅射有金层；在PBG结构中引入了线缺陷和点缺陷，线缺陷形成PBG波导，位于波导腔的腔体内左右两侧，点缺陷形成中间三个谐振腔结构；滤波器采用上层硅圆片和下层硅圆片进行加工。