发明名称 | 金属性纳米管去除方法 | ||
摘要 | 本申请公开了一种金属性纳米管去除方法,其中金属性纳米管沿第一方向形成于衬底上。该方法包括:沿与第一方向交叉的第二方向,形成多个导体,所述导体与所述金属性纳米管电接触;在所述导体上形成至少两个电压施加电极,每一电压施加电极与数目至少为一个的相应一部分导体形成电接触;以及通过电压施加电极,向导体施加电压,其中,在被施加有电压的导体中,每两个相邻导体之间建立电势差,以烧毁金属性纳米管。 | ||
申请公布号 | CN103101898A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
申请号 | CN201110354410.2 | 申请日期 | 2011.11.10 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 |
分类号 | C01B31/02(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
主权项 | 一种去除金属性纳米管的方法,所述金属性纳米管沿第一方向形成于衬底上,该方法包括:沿与第一方向交叉的第二方向,形成多个导体,所述导体与所述金属性纳米管电接触;在所述导体上形成至少两个电压施加电极,每一电压施加电极与数目至少为一个的相应一部分导体形成电接触;以及通过电压施加电极,向导体施加电压,其中,在被施加有电压的导体中,每两个相邻导体之间建立电势差,以烧毁金属性纳米管。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |