发明名称 | 曝光装置和曝光方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种曝光装置,调整在基板面内被设定为微小的每个区域的曝光量,提高显影处理后抗蚀剂残膜的均匀性并抑制布线图案的线宽与间距的参差不同。该曝光装置(1)使基板台(2)上的基板(G)和原版台(3)上的原版(M)同步移动,并将上述原版的图案曝光在上述基板上,其包括:设置于上述基板台的上方对上述基板的局部照射光的局部曝光部(20);和控制上述局部曝光部的发光驱动的控制部(40),该局部曝光部包括:多个发光元件(L),其在基板宽度方向上以线状排列,能够对由上述基板台移动的上述基板照射光;和发光驱动部(25),其将上述多个发光元件当中的一个或多个发光元件作为发光控制单位能够有选择性地进行发光驱动。 | ||
申请公布号 | CN103105739A | 申请公布日期 | 2013.05.15 |
申请号 | CN201210443842.5 | 申请日期 | 2012.11.08 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 太田义治 |
分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
主权项 | 一种曝光装置,其用于将电路图案曝光于形成有感光膜的被处理基板,该曝光装置的特征在于,包括:照明光学系统,其对形成有规定的电路图案的原版照射光;和局部曝光部,其为不同于所述照明光学系统的部件,对所述基板的局部照射光,所述照明光学系统和所述局部曝光部一体地设置于曝光装置的内部。 | ||
地址 | 日本东京都 |